三星建新半導體研發中心 擬6年投資逾千億
三星電子宣布,在首爾南部的新半導體研發中心破土動工,計劃到2028年投資約20萬億韓圜(約1181億港元),以保持晶片技術的領先地位。
三星電子稱,新設施將引領對下一代存儲和系統晶片的設備和製程的研發,以及基於長期路線圖的新技術的開發。
三星電子宣布,在首爾南部的新半導體研發中心破土動工,計劃到2028年投資約20萬億韓圜(約1181億港元),以保持晶片技術的領先地位。
三星電子稱,新設施將引領對下一代存儲和系統晶片的設備和製程的研發,以及基於長期路線圖的新技術的開發。