晶片丨SK海力士率先研發第六代10納米級DRAM

南韓晶片巨頭SK海力士(SK Hynix)表示，全球率先研製出第六代10納米級同步動態隨機存取記憶體(DRAM)。

SK海力士稱，採用第六代10納米級DRAM技術(1c工藝)，成功研製16Gb第六代低功耗雙倍數據速率(LPDDR6)DRAM，將爭取上半年內完成量產準備工作，並從下半年起開始供貨。

數據速率提升33%

該公司今年1月在美國舉行的2026年國際消費電子展(CES 2026)上推介該產品，並於近期獲得研發認證。基於1c工藝的LPDDR6產品將主要搭載於採用端側人工智能(On-device AI)技術的智能手機、平板電腦等產品。與前款LPDDR5X相比，LPDDR6的數據速率提升33%，能耗降低20%以上。