三星前員工涉嫌向中國長鑫存儲洩晶片技術被起訴

南韓檢方起訴5名三星電子前員工，涉嫌對華外洩晶片技術，並起訴中國長鑫存儲研發團隊的5名員工。

韓聯社報道，首爾中央地方檢察廳信息科技犯罪偵查部通報，以涉嫌違反《防止不正當競爭及商業秘密保護法》、《產業技術保護法》對5名三星前員工提起逮捕起訴，並以相同罪名對長鑫存儲研發團隊5名員工提起不逮捕起訴。

涉10納米級DRAM工藝技術

檢方調查顯示，長鑫儲存成立後立即聘請三星前部長A某擔任研發室長。為取得三星獨有的10納米級DRAM(動態隨機存取儲器)工藝技術，A某牽頭招募各核心工序技術骨幹。過程中，三星前研究員B某將DRAM工藝核心技術PRP(製程配方)親筆抄錄後帶離公司，隨後跳槽至長鑫儲存。此舉讓長鑫儲存完整掌握當時全球唯一的10納米級DRAM全套工藝技術。

檢方進一步查明，長鑫儲存在吸收多名三星前員工後，正式啟動DRAM研發。研發期間，還通過合作商額外取得SK海力士的半導體工藝相關技術。在掌握韓企兩大核心半導體技術後，長鑫儲存最終於2023年實現10納米級DRAM量產，成為中國首家、全球第4家掌握此技術的企業。

料三星去年銷售額因而減少267億

檢方指出，這項技術外洩事件導致南韓核心產業技術流失，造成巨額經濟損失。據檢方基於全球市場份額變化的推算，三星2024年銷售額減少5萬億韓圜(約267億港元)。若加上事件對南韓整體經濟的後續負面影響，總損失額至少達數十億韓圜。