【跨市博弈】AI與HBM技術重塑DRAM市場的未來

在全球技術舞台上，DRAM(動態隨機存取記憶體)的角色日益重要。隨着AI(人工智能)技術的蓬勃發展，對高效能記憶體的需求急劇增加，特別是在AI智慧型手機和個人電腦(PC)領域。但是，DRAM市場的供應鏈和技術挑戰是一場永無止境的戰爭，其中涉及的不只是技術問題，更有戰略布局的較量。

首先，DRAM市場的供需動態一直以來都極具挑戰性。儘管在這場戰爭中，只剩下三大主要玩家:三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)，但在2022年的下行周期，SK海力士和美光的毛利率為負，而負毛利率則導致持續經營風險。

不過，HBM(高頻寬記憶體，High Bandwidth Memory)的崛起，標誌着儲存技術向更高效能的轉變。然而，HBM的生產對晶圓供應的消耗遠大於傳統的DDR5記憶體。例如，Micron在最近的業績電話會議中提到，HBM3E的晶圓消耗是DDR5的三倍。到2026年，這一比例預計將進一步惡化，HBM4的消耗可能達到DDR5的五倍。HBM3e的良率低於70%，而且隨着更多晶片堆疊超過8-hi，良率只會變得更難。HBM不僅消耗了更多當前晶圓供應，而且這項變更直接影響了DRAM和NAND的資本開支(Capex)，因為更多的投資正在被引導到HBM生產上。

同時，SK海力士和美光由於清潔室空間限制，面臨無法大幅擴展其DRAM產能的局面。SK海力士的M16廠到2025年將完全達到產能極限，而美光也需要等到2026年其新的Boise廠投產後才能擴充產能。這些計劃的完成將直接影響到公司的未來產能。在目前，這一局面迫使這些廠商必須依賴製程遷移來增加每片晶圓的數量。

技術遷移方面，三星顯示領先優勢，計劃在2024年加速遷移到1c奈米製程。同時，美光將在其廣島工廠引進極紫外線(EUV)技術，以提升1-gamma製程的產能。這不僅是美光首次在DRAM生產中應用EUV技術，更標誌着DRAM生產技術的一大步前進。對於EUV設備製造商ASML來說，DRAM領域的這項變化無疑是一個正面訊號。因為，ASML提到2023年第四季有五成的EUV訂單來自DRAM。

不過，政策環境也對市場格局產生了深遠的影響。例如，美國對中國的出口限制使得SK海力士在其無錫工廠無法使用EUV(極紫外線)光刻技術(該廠的DRAM產能佔其45%)，這可能限制了其產品在性能上的提升。這類政策衝擊不僅影響技術進程，也可能重塑全球供應鏈的動態。

AI的需求成長將進一步推動DRAM市場的發展。隨着智慧型手機和個人電腦愈來愈多地整合AI功能，這些設備對DRAM的需求預計將顯著增加。例如，未來AI手機和AI PC可能分別需要至少12GB和16GB的DRAM，遠高於目前8GB的標準配置。

然而，儘管當前市場看起來樂觀，投資者應警惕記憶體市場的周期性波動。從歷史經驗來看，記憶股的股價在下一個下行周期開始前的6至9個月就開始見頂回落。

惟無論如何，DRAM市場正在經歷一場由技術進步和新興需求共同驅動的變革。儘管面臨挑戰，AI時代的到來無疑為DRAM製造商帶來了新的增長機會。

家族辦公室投資經理

徐立言(本欄每逢周一刊出)

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